[发明专利]检查装置调整系统以及检查装置调整方法有效
| 申请号： | 201980096016.8 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113767459B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 前田太一;笹气裕子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于，迅速确定检查对象即晶片的光学条件，特别在于，在获得客户晶片后，将光学条件设定迅速化。本发明所涉及的检查装置自动调整系统具有：输入解析条件的解析条件设定IF(102)；进行解析的解析执行部(103)；解析中所用的检查装置模型和模型DB(101)；蓄积解析结果的解析结果DB(104)；输入晶片图案、聚焦点、最优化指标和优先级的观察条件设定IF(105)；检索与所输入的晶片图案类似的晶片图案的晶片图案检索部(106)；从解析结果DB(104)提取类似晶片图案和在聚焦点中最优的光学条件的光学条件提取部(107)；和生成与光学条件对应的控制信号并发送到检查装置的光学条件设定部(108)。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 装置 调整 系统 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980096016.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
