[发明专利]用于生产基于III-N化合物的半导体组件的过程在审
| 申请号： | 201980092686.2 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113454754A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 让·罗特纳;赫尔格·哈斯 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L29/78;H01L33/38;H01L29/20;H01L21/285;H01L29/66;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于生产半导体组件(170)的过程，包括以下连续步骤：a)提供包括由III‑N化合物制成的第一半导体层(105)和涂覆第一层的第二导电层(107)的堆叠；b)形成穿过第二层(107)并在第一层(105)处中断的沟槽(110)，所述沟槽侧向界定第二层(107)中的接触金属化部；c)在所述沟槽(110)中形成由与第二层(107)的材料不同的材料制成的、与接触金属化部的侧部接触的金属间隔部(111)；以及d)将所述沟槽(110)延伸通过第一层(105)的厚度的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 基于 iii 化合物 半导体 组件 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
