[发明专利]多量子阱结构中的蚀刻面有效
| 申请号： | 201980089910.2 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN113330581B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | P·阿皮拉蒂库尔;达米安·兰贝特 | 申请（专利权）人： | 斯考皮欧技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/04;H01L29/12;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 艾佳 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 示例性多量子阱结构可以包括具有形成在硅平台中的凹坑的硅平台、位于凹坑内的芯片、形成在芯片中的第一波导和形成在硅平台中的第二波导。凹坑可以至少部分地由侧壁和基部限定。芯片可以包括第一侧面和在第一侧面中的第一凹槽。第一侧面可以部分地由第一解理或切割面限定。第一凹槽可以部分地由第一蚀刻面限定。第一波导可以被配置为引导光束穿过第一蚀刻面。第二波导可以被配置为引导光束穿过侧壁。第二波导可以与第一波导光学对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 结构 中的 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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