[发明专利]具有PN结的光电器件在审
申请号: | 201980089515.4 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN113316854A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 让·罗特纳;赫尔格·哈斯 | 申请(专利权)人: | 原子能与替代能源委员会 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电器件(300),包括:‑形成PN结的第一半导体层(101)和第二半导体层(105)、以及布置在第二层的和第一层相对的表面上并且与第二层的和第一层相对的表面接触的第三导电层(107)的垂直堆叠;‑穿过第三层(107)和第二层(105)的外围沟槽(110),所述沟槽侧向界定第三层(107)的一部分和第二层(105)的一部分;‑在所述沟槽(110)中的与第三层(107)的所述部分的侧部边缘接触的导电间隔物(301);以及‑在所述沟槽(110)中的绝缘导电栅极(113,111),该绝缘导电栅极抵靠导电间隔物(301)的侧部边缘并抵靠第二层的所述部分的侧部边缘延伸。 | ||
搜索关键词: | 具有 pn 光电 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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