[发明专利]用于测量光刻过程的参数的目标在审
| 申请号： | 201980080754.3 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113168119A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | M·范德斯卡;O·V·兹维尔;帕特里克·华纳 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G01N21/17;G01N21/47;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于确定光刻过程的性能参数的目标，所述目标包括：第一子目标，所述第一子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第一子目标的底层光栅具有第一节距且所述第一子目标的顶部光栅具有第二节距；至少一个第二子目标，所述第二子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第二子目标的底层光栅具有第三节距且所述第二子目标的顶部光栅具有第四节距。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 光刻 过程 参数 目标 | ||
【主权项】：
暂无信息
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