[发明专利]具有优化的吸收的电磁辐射检测结构及用于形成这种结构的方法在审
| 申请号： | 201980078434.4 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN113167654A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;让-路易斯·乌夫里耶-比费;克莱尔·维亚勒 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02;G01J5/08;G01J5/20;G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 江海;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电磁辐射检测结构(10)，该电磁辐射检测结构包括限定吸收平面的至少一个吸收元件和MOSFET晶体管(100)。该晶体管包括：具有第一导电类型的至少一个第一区域和至少一个第二区域(111，112)；至少一个将第一区域和第二区域(111，112)彼此分隔开的第三区域(113)；和栅电极。第一区域(111)、第三区域(113)和第二区域(112)分别由第一层、第三层和第二层形成，第一层、第三层和第二层在吸收平面中彼此平行地延伸并沿着垂直于吸收平面的方向接连布置。栅电极沿着所述第三区域(113)的至少一个侧壁覆盖第三区域(113)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 吸收 电磁辐射 检测 结构 用于 形成 这种 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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