[发明专利]具有优化的吸收的电磁辐射检测结构及用于形成这种结构的方法

权利要求书

1.一种用于检测电磁辐射的辐射热测量计型的检测结构(10)，所述检测结构(10)包括：

-至少一个吸收元件(121，125)，配置为吸收电磁辐射，所述吸收元件(121，125)限定吸收平面，

-与所述吸收元件相关联的MOS-FET类型的晶体管(100)，用于在所述吸收元件吸收电磁辐射时检测所述吸收元件的温升，所述晶体管包括：

·具有第一导电类型的至少一个第一区域和至少一个第二区域(111，112)，

·至少一个将所述第一区域和所述第二区域(111，112)彼此分隔开的第三区域(113)，所述第三区域(113)具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第三区域(113)具有比所述第一区域和所述第二区域(111，112)的多数载流子的浓度更低的多数载流子的浓度，

·栅电极(120)，

所述检测结构(10)的特征在于，所述第一区域(111)、所述第三区域(113)和所述第二区域(112)分别由第一层、第三层和第二层形成，所述第一层、所述第二层和所述第三层中的每一层平行于所述吸收平面延伸，所述第一层、所述第三层和所述第二层沿着垂直于所述吸收平面的方向彼此接连，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的每一个相对于相应层的厚度具有至少一个侧壁，

并且所述栅电极沿着所述第三区域的至少一个侧壁覆盖所述第三区域。

2.根据权利要求1所述的检测结构(1)，其中，所述第三区域(113)具有至少两个侧壁，所述栅电极沿着所述第三区域的至少两个彼此相对的侧壁覆盖所述第三区域。

3.根据权利要求1或2所述的检测结构(1)，其中，所述吸收构件包括吸收部分，所述吸收部分延伸超过由所述第一区域、所述第三区域和所述第二区域(111，113，112)形成的堆叠。

4.根据权利要求3所述的检测结构(1)，其中，由所述第一区域、所述第三区域和所述第二区域(111，113，112)形成的所述堆叠至少部分地包围所述检测结构(1)的被称为检测区域的区域，所述吸收部分至少部分地沿着所述检测区域延伸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测结构(1)，其中，所述栅电极(120)包括所述吸收元件(121)。

6.根据权利要求5与权利要求3或4相结合所述的检测结构(1)，其中，所述至少一个吸收元件中的所述吸收元件(121)包括由用于所述第三区域(113)的“中间间隙”金属制成的至少一个层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的检测结构(1)，其中，所述晶体管(100)进一步包括用于所述第二区域(112)的金属接触。

8.根据单独的权利要求7或权利要求7与权利要求2至6中任一项相结合所述的检测结构(1)，其中，所述第二区域(112)的金属接触包括所述吸收元件(125)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的检测结构(1)，其中，所述吸收元件(121，125)包括由至少一个绝缘层(133，132)支撑的导电层，选择所述金属层的金属以及所述金属层和支撑所述金属层的所述至少一个绝缘层(133，132)的厚度，以满足以下不等式：

其中ρ为所述层的等效电阻率，Ep为所述层的厚度之和。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的检测结构(1)，其中，所述栅电极(120)还覆盖所述第一区域并形成与所述第一区域(111)的金属接触。