[发明专利]半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件(1a、1b)，具有正面和相对的背面以及侧面，以及具有至少一个发射极(2a、2b)和至少一个基极(3a、3b)，其中，在发射极(2a、2b)和基极(3a、3b)之间构成pn结(4a、4b)，并且发射极(2a、2b)平行于正面和/或背面延伸。重要的是，至少一个侧面是钝化的分离面(T)，在所述分离面上设置有分离面钝化层(6a、6b)，所述分离面钝化层具有位置固定的电荷，所述电荷在分离面(T)上具有数值上大于或等于1012cm‑2的电荷面密度。本发明还涉及一种用于分离具有pn结的半导体器件(1a、1b)的方法。