[发明专利]使用实验设计及响应表面模型的工艺优化有效
申请号: | 201980073210.4 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN113039632B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | S·比蒂 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 使用来自计量工具的测量,可确定所述计量工具上的工具设置的组合。接着可确定候选者,且可针对所述候选者中的每一者产生响应表面模型。然后可依据所述响应表面模型来确定提供最大响应且对噪声源最不敏感的所述工具设置的所述候选者的列表。所述候选者的所述列表可各自来自所述响应表面模型的较密集区域。 | ||
搜索关键词: | 使用 实验设计 响应 表面 模型 工艺 优化 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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