[发明专利]可变低电阻线非易失性存储元件及其运转方法在审
| 申请号： | 201980072575.5 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN112956041A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙锺和;孙锺亦 | 申请（专利权）人： | 维迈默里公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例公开一种存储元件及其运转方法，作为可变低电阻线存储元件及其运转方法，包括：基极，所述基极包含自发极化性材料；栅极，所述栅极邻接所述基极地配置；至少两个极化区域，所述极化区域通过所述栅极向所述基极施加电场而在所述基极形成，具有互不相同方向的极化；可变低电阻线，所述可变低电阻线选择性地与所述具有互不相同方向极化的极化区域的边界对应；源极，所述源极与所述可变低电阻线相接地配置；漏极，所述漏极与所述可变低电阻线相接地配置；所述可变低电阻线由所述基极区域中电阻比与所述可变低电阻线邻接的其他区域低的区域形成。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 线非易失性 存储 元件 及其 运转 方法 | ||
【主权项】：
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