[发明专利]可变低电阻线非易失性存储元件及其运转方法

权利要求书

1.一种非易失性存储元件，包括：

基极，所述基极包含自发极化性材料；

栅极，所述栅极邻接所述基极的一面地配置；

至少两个极化区域，所述极化区域通过所述栅极向所述基极施加电场而在所述基极形成，具有互不相同方向的极化；

可变低电阻线，所述可变低电阻线选择性地与所述具有互不相同方向极化的极化区域的边界对应；

源极，所述源极与所述可变低电阻线相接地配置；及

漏极，所述漏极与所述可变低电阻线相接地配置；

所述可变低电阻线由所述基极区域中电阻比与所述可变低电阻线邻接的其他区域低的区域形成，

所述极化区域沿着垂直于所述基极厚度的平面方向彼此邻接地配置，

所述可变低电阻线电气连接所述源极与漏极地配备，

所述可变低电阻线沿所述基极表面方向从所述栅极隔开配置，

所述可变低电阻线从所述基极表面沿垂直方向横跨基极全体厚度形成，

所述栅极施加电场而使得在与栅极邻接区域已经形成的极化的方向变更为另一方向。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储元件，其中，

所述极化区域包括具有第一方向极化的第一区域、选择性地具有与所述第一方向相反的第二方向极化的第二区域，

所述可变低电阻线位于所述第一区域与第二区域之间。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储元件，其中，

所述第一区域与所述第二区域具有相同的厚度。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储元件，其中，

所述第二区域具有第一厚度，所述第一区域包括具有比所述第一厚度更厚的第二厚度的部分。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储元件，其中，

所述栅极配备得向所述第一区域与第二区域之一的区域施加电场。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储元件，其中，

所述栅极配备得控制与所述第一区域和第二区域中至少邻接栅极的区域的极化方向。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储元件，其中，

就所述可变低电阻线而言，控制由所述栅极形成的电场，根据所述极化区域的控制而生成或消失，从而在电场去除之后，依然保持所形成的低电阻线的模样，具有信息的非易失性特性。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储元件，其中，

就所述可变低电阻线而言，控制由所述栅极形成的电场的强度，从而控制所述可变低电阻线的沿所述基极厚度方向的深度。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储元件，其中，

就所述可变低电阻线而言，

控制由所述栅极形成的电场的施加时间，控制大小。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储元件，其中，

所述基极包含铁电性材料。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储元件，其中，

即使去除通过所述栅极施加的电场，所述可变低电阻线也得以保持。