[发明专利]用于半导体器件的单片3D集成的架构

摘要

一种三维(3D)集成电路(IC)包括具有衬底表面的衬底、设置在该衬底中的电力轨、以及第一半导体器件层级，该第一半导体器件层级设置在该衬底中并且沿着该衬底的厚度方向位于该电力轨之上。布线层级设置在该衬底中，并且第二半导体器件层级设置在该衬底中并沿着该厚度方向位于该布线层级之上。该第二半导体器件层级在该厚度方向上堆叠在该第一半导体器件层级上，使得该布线层级插入在该第一半导体器件层级与该第二半导体器件层级之间。第一竖直互连结构从该布线层级向下延伸到该第一半导体器件层级，以将该布线层级电连接到该第一半导体器件层级内的器件。第二竖直互连结构从该布线层级向上延伸到该第二半导体器件层级，以将该布线层级电连接到该第二半导体器件层级内的器件。