[发明专利]用于强化离子植入生产力的四氢化锗/氩等离子体化学在审
| 申请号： | 201980071212.X | 申请日： | 2019-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN112955995A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 具本雄;艾迪尼·沙拉金莉;罗奈尔德·詹森;南茲奥·V·卡邦;彼得·尤英;默文·德根 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于改善产生某些离子束(且具体而言，锗及氩)的束流的方法。已证实使用氩作为第二气体会改善锗烷的离子化，允许在不使用卤素的情况下形成具有足够束流的锗离子束。另外，已证实使用锗烷作为第二气体会改善氩离子束的束流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 强化 离子 植入 生产力 氢化 等离子体 化学 | ||
【主权项】：
暂无信息
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