[发明专利]用于强化离子植入生产力的四氢化锗/氩等离子体化学在审
| 申请号： | 201980071212.X | 申请日： | 2019-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN112955995A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 具本雄;艾迪尼·沙拉金莉;罗奈尔德·詹森;南茲奥·V·卡邦;彼得·尤英;默文·德根 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 强化 离子 植入 生产力 氢化 等离子体 化学 | ||
1.一种产生锗离子束的方法，包括：
将锗烷及氩引入至离子源中；
离子化所述锗烷及所述氩以形成等离子体；以及
自所述离子源提取锗离子以形成所述锗离子束。
2.根据权利要求1所述的方法，其中没有卤素气体被引入至所述离子源中。
3.根据权利要求1所述的方法，其中氩流速在0.5标准立方厘米/分钟至2.0标准立方厘米/分钟之间。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述氩流速在0.7标准立方厘米/分钟至1.0标准立方厘米/分钟之间。
5.根据权利要求1的方法，其中所述离子源包括间接加热式阴极离子源。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子源包括射频离子源、伯纳斯源、电容耦合等离子体源、电感耦合源或微波耦合等离子体源。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子源是束线植入系统的组件。
8.一种产生氩离子束的方法，包括：
将锗烷及氩引入至离子源中；
离子化所述锗烷及所述氩以形成等离子体；以及
自所述离子源提取氩离子以形成所述氩离子束，其中锗烷流速在0.35标准立方厘米/分钟至1.00标准立方厘米/分钟之间。
9.根据权利要求8的方法，其中所述离子源包括间接加热式阴极离子源、射频离子源、伯纳斯源、电容耦合等离子体源、电感耦合源或微波耦合等离子体源。
10.根据权利要求8的方法，其中没有卤素气体被引入至所述离子源中。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述离子源是束线植入系统的组件。
12.一种产生氩离子束的方法，包括：
将锗烷及氩引入至离子源中；
离子化所述锗烷及所述氩以形成等离子体；以及
自所述离子源提取氩离子以形成所述氩离子束，其中锗烷流速使得所述氩离子束的束流相对于在相同提取电流下不使用锗烷所产生的氩离子束增加至少10％。
13.根据权利要求12所述的方法，其中锗烷流速使得所述氩离子束的束流相对于所述在相同提取电流下不使用锗烷所产生的氩离子束增加至少15％。
14.根据权利要求12的方法，其中没有卤素气体被引入至所述离子源中。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述离子源是束线植入系统的组件。
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