[发明专利]基于Elmore延迟时间（EDT）的电阻模型有效
| 申请号： | 201980059905.7 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN112771529B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | R·B·艾弗森 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39;G06F30/3312;G06F30/398;G06F30/367;G06F16/28;G06F119/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 我们公开了一种集成电路设计工具，用于对诸如栅极、源极、漏极和过孔之类的晶体管的端子的电阻进行建模。使用三维(3D)坐标系在存储器中的数据结构中指定端子的结构。对于所指定的结构中的多个体积元素中的每个体积元素，Elmore延迟时间(EDT)被确定。对于位于栅极端子的面对沟道区域的表面上的多个体积元素中的那些体积元素，平均EDT(aEDT)基于EDT来被确定。端子的点对点电阻值根据aEDT和端子的电容来被生成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 elmore 延迟时间 edt 电阻 模型 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商新思科技有限公司，未经美商新思科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980059905.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
