[发明专利]基于Elmore延迟时间（EDT）的电阻模型

权利要求书

1.一种由集成电路设计工具执行的计算机实现的方法，用于对晶体管的栅极端子的电阻进行建模，以在集成电路上实现，所述晶体管具有至少一个沟道区域，所述方法包括：

使用三维3D坐标系在存储器中的数据结构中指定所述栅极端子的结构；

对于所指定的结构中的多个体积元素中的每个体积元素，确定Elmore延迟时间EDT并且将所述EDT存储在所述存储器中的数据库中；

对于位于所述栅极端子的面对所述沟道区域的表面上的所述多个体积元素中的那些体积元素，基于所述EDT来确定平均Elmore延迟时间 aEDT，并且将所述aEDT存储在所述存储器中的所述数据库中；以及

执行指令的程序，以根据所述aEDT和所述栅极端子的电容生成所述栅极端子的点对点电阻值。

2.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述栅极端子的所述点对点电阻值根据将所述aEDT除以所述栅极端子的所述电容来生成。

3.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述EDT通过对具有Neumann边界条件的拉普拉斯方程进行求解来确定。

4.根据权利要求3所述的计算机实现的方法，其中所述拉普拉斯方程具有以下形式：

t_ELMORE= G^-1* C_TOT，其中

t_ELMORE是所述多个体积元素中每个体积元素的所述EDT的向量，

G是电导矩阵，以及

C_TOT是所述多个体积元素中的每个体积元素处的总电容的矢量。

5.根据权利要求3所述的计算机实现的方法，其中对于位于所述栅极端子的面对所述沟道区域的所述表面上的所述多个体积元素中的所述体积元素，所述Neumann边界条件是恒定的。

6.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，还包括：通过以下各项来生成所述栅极端子的寄生电容节点的点对点电阻值：

对于位于所述栅极端子的不面对所述沟道区域的表面上的所述多个体积元素中的那些体积元素，基于所述EDT来确定平均Elmore延迟时间aEDT；以及

执行指令的程序，以根据所述aEDT和所述栅极端子的所述电容来生成所述栅极端子的所述寄生电容节点的所述点对点电阻值。

7.根据权利要求6所述的计算机实现的方法，其中所述栅极端子的所述寄生电容节点的所述点对点电阻值根据将所述aEDT除以所述栅极端子的所述电容来生成。

8.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述晶体管具有至少一个源极端子，还包括：通过以下各项对所述晶体管的所述源极端子的电阻进行建模：

使用所述三维3D坐标系在所述存储器中的数据结构中指定所述源极端子的结构；

对于所述源极端子的所指定的结构中的多个体积元素中的每个体积元素，确定Elmore延迟时间EDT并且将所述EDT存储在所述存储器中的所述数据库中；

对于位于所述源极端子的面对所述沟道区域的表面上的所述多个体积元素中的那些体积元素，基于所述EDT来确定平均Elmore延迟时间aEDT，并且将所述aEDT存储在所述存储器中的所述数据库中；以及

执行指令的程序，以根据所述aEDT和所述源极端子的电容生成所述源极端子的点对点电阻值。

9.根据权利要求8所述的计算机实现的方法，其中所述源极端子的所述点对点电阻值根据将所述aEDT除以所述源极端子的所述电容来生成。