[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
| 申请号： | 201980055836.2 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112640056A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 犹原英司;阿部博史;高桥光和;角间央章 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于提供一种技术，在作为液体处理的第一处理后，适当地决定开始后续的第二处理的时机。为了实现上述目的，在停止供给第一处理液后，通过照相机拍摄基板的上表面。在通过照相机取得的拍摄图像的判断区域内检测亮度(光强度)的径向上的极值点，由此检测干涉纹。在检测到检测对象的干涉纹的情形中，时机决定部决定开始第二处理的时机。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
