[发明专利]具有氢扩散阻挡层的III-V族发光微像素阵列装置的装置及方法在审
| 申请号： | 201980053564.2 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112567537A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 海森·S·依尔-高鲁黎;卡梅斯瓦尔·亚达凡利;安德鲁·特伦;范倩 | 申请（专利权）人： | 欧斯顿都技术公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国加州卡尔斯巴德市苏特200帕西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供固态发光微像素阵列结构，具有氢阻挡层以最小化或消除由氢扩散引起的掺杂氮化镓结构的非理想钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 阻挡 iii 发光 像素 阵列 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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