[发明专利]粉体的成膜方法、粉体成膜用容器和ALD装置有效
| 申请号： | 201980048885.3 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112469844B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 佐藤英儿;坂本仁志 | 申请（专利权）人： | 新烯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 褚瑶杨;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 粉体的成膜方法具有下述工序：分散工序，将容纳有粉体P的容器(10)设置于分散装置主体(110)，利用分散装置主体(110)使容器(10)内的粉体(P)分散；ALD工序，将从分散装置主体(100)取出的容器(10)以能够导入和排出气体的状态设置于ALD装置主体(201)，导入用于在容器(10)内实施ALD循环的气体而充满容器(10)内，之后将上述气体排气，使粉体(P)的表面成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 粉体成膜用 容器 ald 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
