[发明专利]结晶类太阳能电池单元的制造方法在审
申请号: | 201980036778.9 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN112424952A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 马尔万·达姆林;铃木绍太 | 申请(专利权)人: | 东洋铝株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;敖莲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种于硅基板的单面或两面具有钝化膜的结晶类太阳能电池单元的制造方法,从而在于硅基板的单面或两面具有钝化膜的结晶类太阳能电池单元的该钝化膜上,以接近开口宽度的大小形成一种以上的电极,所述制造方法依次具备:(1)工序1,当于所述单面具有钝化膜时,该钝化膜为具有1个或2个以上开口的钝化膜A;当于所述两面具有钝化膜时,该钝化膜中的一个或两个为具有1个或2个以上开口的钝化膜A,在覆盖所述开口的区域形成由电极形成用膏状组合物构成的涂膜;(2)工序2,对所述硅基板及所述涂膜进行烧成处理;及(3)工序3,至少保留以填埋所述开口的凹部的方式形成的烧成物(8、9),将以除其以外的方式形成的烧成物(7)的一部分或全部去除。 | ||
搜索关键词: | 结晶 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的