[发明专利]比较器架构和相关的方法在审
| 申请号： | 201980035621.4 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN112204883A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | B·L·普赖斯;D·沙 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种系统。该系统包括配置成接收输入电压(VIN)和参考电压(VREF)的第一级(M12、M14)，第一级包括输入晶体管对(M12、M14)，其中输入电压耦合到输入晶体管对，输入晶体管对耦合到地，并且输入晶体管对在公共漏极处包括具有电压的高增益节点(VHGN)。该系统进一步包括第二级(130)，第二级耦合到高增益节点并且配置成基于输入电压和参考电压之间的差而生成输出电压(VOUT)，第二级包括电阻器(R11)和反相器晶体管对(M15、M16)，其中反相器晶体管对的栅极耦合到第一级的高增益节点，并且电阻器将第一级的高增益节点耦合到反相器晶体管对的公共漏极，并且配置成向和/或从第一级的高增益节点提供和/或汲取电流。 | ||
| 搜索关键词： | 比较 架构 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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