[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层及第2层在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＜k2及k2＞k3的关系，将第1层、第2层及第3层的膜厚分别设为d1、d2、d3时，满足d1＜d3及d2＜d3的关系。