[发明专利]光子器件、光子器件操作方法以及光子器件制造方法在审

专利信息
申请号: 201980026526.8 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN112368556A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 延斯·霍弗里希特 申请(专利权)人: AMS国际有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 谢攀;刘继富
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 光子器件包括半导体衬底(10)和压敏膜(20)。压敏膜(20)被布置在衬底(10)之中或之上。光子结构(30)被至少部分地耦合至膜(20),并被布置成根据由施加至膜(20)的压力所引起的变形而改变光学特性。
搜索关键词: 光子 器件 操作方法 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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