[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201980022136.3 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111902772A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 前田仁;野泽顺;堀込康隆 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;G03F1/58;G03F1/74 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种掩模坯料(100)，其在透光性基板(1)上具备相移膜(2)，该相移膜(2)包含依次层叠有下层(21)、中间层(22)及上层(23)的结构，下层(21)由氮化硅类材料形成，中间层(22)由氮氧化硅类材料形成，上层(23)由氧化硅类材料形成，下层(21)的氮的含量比中间层(22)及上层(23)多，上层(23)的氧的含量比中间层(22)及下层(21)多，中间层(22)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.15以上，上层(21)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.10以下。 | ||
| 搜索关键词： | 坯料 相移 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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