[发明专利]用于在固体中产生短的亚临界裂纹的方法在审
| 申请号： | 201980013943.9 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111727492A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 扬·黎克特;马尔科·斯沃博达;阿尔布雷希特·乌尔里希;拉尔夫·里斯克 | 申请（专利权）人： | 西尔特克特拉有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/03;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;支娜 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于在固体(1)的内部中产生改性部(9)的方法。所述方法包括：将激光器(29)的激光辐射(14)经由固体(1)的第一表面(8)引入到固体(1)的内部中，其中固体(1)构成晶体结构，并且其中通过激光辐射(14)在固体(1)的内部中的产生平面(4)上的预定部位处产生改性部(9)，其中与相对于第二表面相比，改性部(9)相对于第一表面(8)更近地间隔开，其中第二表面平行于第一表面(8)构成，其中通过改性部(9)产生多个线形构造(103)，其中固体(1)在相应的改性部(9)的区域中亚临界地裂开，其中亚临界裂纹正交于相应的线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm的平均裂纹长度，其中属于同一线形构造(103)且依次产生的改性部(9)彼此相距一定间距产生，所述间距通过函数(d‑x)/d‑0.31限定，其中在此适用xd。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 固体 产生 临界 裂纹 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西尔特克特拉有限责任公司，未经西尔特克特拉有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980013943.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆用灯具
- 下一篇：衣物处理装置及其控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
