[发明专利]银纳米线墨及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980009442.3 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN111630613A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 斋藤宏敏;佐藤王高 申请(专利权)人: 同和电子科技有限公司
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;B22F1/00;B22F1/02;B22F9/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B1/00;H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张智慧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供在充分抑制了粗大异物粒子的存在量的银纳米线墨中,配合了提高透明导电膜的导电性的效果高的银纳米线的银纳米线墨。通过对于银纳米线墨中间制品实施采用薄膜回旋法的分散处理,从而将墨中的银纳米线的形态调整为对于线总延长1.0mm以上测定的线的弯曲部的个数以线每单位长度换算计为20.0个/mm以下,并且调整为用光遮蔽方式的液中粒子计数器所测定的超过7μm的粒径的粒子的存在量以墨每单位体积换算计为50个/mL以下的墨性状,其中,所述银纳米线墨中间制品为表面附着有有机保护剂、该有机保护剂的附着量相对于有机保护剂和银的总量为1.5~8.0质量%的银纳米线分散而成。
搜索关键词: 纳米 及其 制造 方法
【主权项】:
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