[发明专利]自对准且稳健的绝缘栅双极晶体管器件有效
| 申请号： | 201980001643.9 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110419111B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | H.耶尔马兹 | 申请（专利权）人： | 艾鲍尔半导体 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种垂直IGBT器件。垂直IGBT结构包含形成在第一导电性类型的半导体衬底的正侧的有源区域中的有源MOSFET单元阵列。一个或多个第二导电性类型的柱结构同心地围绕有源MOSFET单元阵列。每个柱结构包含柱沟槽和深柱区域。通过将第二导电性类型的注入物通过柱沟槽的底面注入到半导体衬底中来形成深柱区域。在除了沟槽的底壁之外的沟槽侧壁上形成电介质侧壁间隔体，并且使用第二导电性类型的多晶硅填充柱沟槽。一个或多个柱结构比有源MOSFET单元阵列实质上更深。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 稳健 绝缘 双极晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种垂直绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件，包括：有源金属氧化物半导体场效应晶体管单元(MOSFE)阵列，形成在第一导电性类型的半导体衬底的正侧；以及第二导电性类型的至少一个柱结构，形成在所述半导体衬底中，所述至少一个柱结构同心地围绕所述有源金属氧化物半导体场效应晶体管单元阵列，至少一个柱结构包含填充有所述第二导电性类型的多晶硅的沟槽、在除了所述沟槽的底壁之外的沟槽侧壁上形成的电介质侧壁间隔体，以及从所述沟槽的底壁延伸的所述第二导电性的深区域，其中，所述至少一个柱结构比所述有源金属氧化物半导体场效应晶体管单元阵列实质上更深。
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