[发明专利]用于改善3D NAND的页面或块尺寸和性能的沟道孔和位线架构及方法

摘要

公开了用于三维存储器件的存储器指状物结构和架构及其制造方法的实施例。所述存储器件包括设置在第一衬底上的交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括多个导体/电介质层对。所述存储器件还包括：垂直存储器串的第一列，延伸贯穿所述交替层堆叠体；以及第一多个位线，沿着第一方向移位并沿着第二方向延伸。垂直存储器串的所述第一列相对于所述第二方向以第一角度设置。所述第一多个位线中的每一个连接到所述第一列中的单独的垂直存储器串。

主权项

1.一种三维存储器件，包括：交替层堆叠体，设置在第一衬底上，所述交替层堆叠体包括多个导体/电介质层对；垂直存储器串的第一列，延伸贯穿所述交替层堆叠体；以及第一多个位线，沿着第一方向移位并沿着第二方向延伸，其中，垂直存储器串的所述第一列相对于所述第二方向以第一角度设置，所述第一多个位线中的每一个连接到所述第一列中的单独的垂直存储器串。