[发明专利]用于减小三维存储器件中的应力的结构和方法有效
| 申请号： | 201980000143.3 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109844955B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 孙坚华;李思晢;夏季;魏勤香 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了对抗应力结构和用于形成对抗应力结构的方法的实施例。本公开描述了一种半导体晶片，其包括：具有形成在其上的电介质层的衬底以及电介质层中的器件区。所述器件区包括至少一个半导体器件。所述半导体晶片还包括相邻与所述器件区的牺牲区，其中，所述牺牲区包括被配置为抵消形成在所述器件区中的晶片应力的至少一个对抗应力结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 三维 存储 器件 中的 应力 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包括：衬底，其具有形成在所述衬底上的电介质层；器件区，其在所述电介质层中并且包括至少一个半导体器件；以及与所述器件区相邻的牺牲区，其中，所述牺牲区包括被配置为抵消形成在所述器件区中的晶片应力的至少一个对抗应力结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980000143.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：高功率晶体管
- 同类专利
- 专利分类
