[实用新型]一种用于晶圆测试用加热装置有效
申请号: | 201922467307.3 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN210837687U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 向俊武;周友;陈小跃;陈浩 | 申请(专利权)人: | 安测半导体技术(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京德铭知识产权代理事务所(普通合伙) 32362 | 代理人: | 奚鎏 |
地址: | 225000 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体生产测试领域的一种用于晶圆测试用加热装置,包括工作平台,工作平台通过支撑腿设置在地面上,工作平台的中心呈镂空设置,工作平台的中心设置有下侧气缸,下侧气缸的连杆穿过工作平台并固定在工作平台的底部,工作平台的四周还设置有上侧支撑,上侧支撑的顶部设置有固定板,固定板上面设置有上侧气缸,上侧气缸的连杆穿过固定板并固定在固定板的顶部;下侧气缸的连杆顶部配合设置有加热组件,上侧气缸的连杆顶部设置有保温组件;保温组件对应设置在加热组件的正上方;该实用新型可以对需要加热的晶圆进行持续加热,使得晶圆加热温度均匀一致,同时具有较好保温作用,避免热量过度散失,降低使用的能耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 测试 加热 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造