[实用新型]基于MOS高效芯片的整流二极管有效
申请号: | 201922377339.4 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN210778611U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 戈丽芳 | 申请(专利权)人: | 无锡市立科汽车部件有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及整流器的技术领域,公开了一种基于MOS高效芯片的整流二极管,其包括二极管本体、焊接端、焊片、芯片、引线和套环,芯片包括第二金属层,还包括设置在引线上的凸台,凸台位于引线朝向芯片的一端,凸台的横截面不大于第二金属层的横截面,二极管本体为P型;同时还公开了一种基于MOS高效芯片的整流二极管,包括二极管本体、焊接端、焊片、芯片和套环,芯片包括第二金属层,还包括设置在焊接端上的凸台,凸台位于焊接端朝向芯片的一端,凸台的横截面不大于第二金属层的横截面,二极管本体为N型。本实用新型具有引线(或焊接端)与第二金属层之间的连接稳定可靠,且玻璃层不易被压坏的效果。 | ||
搜索关键词: | 基于 mos 高效 芯片 整流二极管 | ||
【主权项】:
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