[实用新型]一种新型PECVD设备结构有效
申请号: | 201922278166.0 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN211771542U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 孙显强 | 申请(专利权)人: | 温州昌浩光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325025 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开一种新型PECVD设备结构,包括炉体、炉门法兰、炉门,炉体内形成炉腔,所述炉体的一端设置炉口,炉门法兰密封安装在炉口处,炉门法兰通过密封结构与炉体密封相接,所述密封结构包括设置在炉门法兰的密封圈以及开设在炉门法兰用于安装密封圈的密封槽,所述炉门法兰具有一与炉门相对的端面,密封槽沿着所述端面开设,所述密封圈部分嵌入密封槽内、部分相对密封槽凸出与所述炉门密封相接。本实用新型缩短了石墨舟在炉体内的加热时间,在不增加大量能耗情况下,提高了单位时间内的产能,并且解决了密封难、易漏气的缺点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 pecvd 设备 结构 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的