[实用新型]一种双MOS管结构的调压器有效

专利信息
申请号: 201922247467.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN210609106U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 潘李欢;林波;高剑豪;孟力 申请(专利权)人: 浙江益中智能电气有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 张海兵
地址: 317599 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供了一种双MOS管结构的调压器,属于电路控制技术领域。它解决了现有调压器结构会产生功耗较高从而导致外壳体积大成本高的问题。本双MOS管结构的调压器包括下MOS管组,下MOS管组包括MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3,还包括上MOS管组和芯片A,上MOS管组包括MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6,芯片A的第9引脚、第11引脚和第13引脚分别与MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的栅极G连接并分别能控制MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3的导通或关闭,芯片A的第21引脚与负载电瓶连接并用于检测负载电瓶的电压。本调压器具有功耗低从而使得外壳体积小、成本低的优点。
搜索关键词: 一种 mos 结构 调压器
【主权项】:
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