[实用新型]一种新型底发射垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201922210410.X | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN210074422U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括顺序形成在衬底基板表面的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和上金属电极层，衬底基板底面形成有向表面延伸具有内外深度差的出光孔，出光孔内层底部与下DBR间距为d且0<d<λ，λ为垂直腔面发射激光器的激光出光波长，出光孔外层与下DBR相邻，出光孔的孔中心与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和上金属电极层的中心轴线重合，衬底基板底面和出光孔内侧壁形成有欧姆接触的下金属电极层，下金属电极层通过出光孔外层与下DBR形成欧姆接触，出光孔内层底表面形成有与出光孔外层下金属电极层邻接的全反射层。本申请能够使得任意波长的激光均可采用该底发射结构。 | ||
| 搜索关键词： | 出光孔 衬底基板 下金属电极 垂直腔面发射激光器 上金属电极 氧化限制层 欧姆接触 源区域 底面 内层 激光 中心轴线重合 本实用新型 表面形成 表面延伸 共轴设置 全反射层 顺序形成 发射 光波长 孔中心 内侧壁 深度差 波长 邻接 有向 申请 | ||
【主权项】：
1.一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括衬底基板，所述衬底基板表面形成有高反射率的下DBR，所述下DBR表面形成有有源区域，所述有源区域表面形成有氧化限制层，所述氧化限制层表面形成有高反射率的上DBR，所述上DBR表面形成有欧姆接触的上金属电极层，其特征在于，所述衬底基板底面形成有向衬底基板表面延伸具有内外深度差的出光孔，所述出光孔的内层底部与下DBR的间距为d且0<d<λ，所述λ为垂直腔面发射激光器的激光出光波长，所述出光孔的外层与下DBR相邻，所述出光孔的孔中心位于衬底基板上方并与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和金属上电极层的中心轴线重合，所述衬底基板底面和出光孔内侧壁形成有欧姆接触的下金属电极层，且所述下金属电极层通过出光孔外层与下DBR形成欧姆接触，所述出光孔的内层底表面形成有与出光孔外层下金属电极层邻接的全反射层。/n
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