[实用新型]一种新型底发射垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201922210410.X | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN210074422U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 出光孔 衬底基板 下金属电极 垂直腔面发射激光器 上金属电极 氧化限制层 欧姆接触 源区域 底面 内层 激光 中心轴线重合 本实用新型 表面形成 表面延伸 共轴设置 全反射层 顺序形成 发射 光波长 孔中心 内侧壁 深度差 波长 邻接 有向 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括衬底基板，所述衬底基板表面形成有高反射率的下DBR，所述下DBR表面形成有有源区域，所述有源区域表面形成有氧化限制层，所述氧化限制层表面形成有高反射率的上DBR，所述上DBR表面形成有欧姆接触的上金属电极层，其特征在于，所述衬底基板底面形成有向衬底基板表面延伸具有内外深度差的出光孔，所述出光孔的内层底部与下DBR的间距为d且0<d<λ，所述λ为垂直腔面发射激光器的激光出光波长，所述出光孔的外层与下DBR相邻，所述出光孔的孔中心位于衬底基板上方并与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和金属上电极层的中心轴线重合，所述衬底基板底面和出光孔内侧壁形成有欧姆接触的下金属电极层，且所述下金属电极层通过出光孔外层与下DBR形成欧姆接触，所述出光孔的内层底表面形成有与出光孔外层下金属电极层邻接的全反射层。
2.根据权利要求1所述的新型底发射垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底基板为GaAs基板或GaN基板。
3.根据权利要求1所述的新型底发射垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下DBR和上DBR的反射率大于99％。
4.根据权利要求1所述的新型底发射垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述出光孔的孔径从衬底基板底面向衬底基板表面逐渐减小。
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