[实用新型]一种高压LED芯片有效
| 申请号： | 201922054341.8 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN210668407U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈宗兴;廖宗仁 | 申请（专利权）人： | 东莞佰鸿电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 东莞众业知识产权代理事务所(普通合伙) 44371 | 代理人： | 何恒韬 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高压LED芯片，包括衬底和多个间隔设置的发光单元，发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极，N型半导体层设于衬底的上方，P型半导体层设于N型半导体层的上方，量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，P电极设于P型半导体层的上方，N电极设于N型半导体层的下方，N电极的下端面与衬底接触，N型半导体层、量子阱层和P型半导体层的截面自下向上逐步递减，发光单元的P型半导体层表面和侧面、发光单元的量子阱层和N型半导体层的侧面、发光单元的N极侧面以及相邻两发光单元之间的衬底表面均设有反射绝缘层。本实用新型能提高高压LED芯片发出的光的亮度，提高LED灯的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 | ||
【主权项】：
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