[实用新型]一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件有效
| 申请号： | 201921934633.4 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN209947843U | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 发射区层 台面 金属硅化物薄层 基区电极 发射区 刻蚀 帽层 本实用新型 发射区电极 集电区电极 表面覆盖 衬底表面 单晶硅层 电极窗口 硅基工艺 接触区域 截止频率 金属电极 台面结构 基区层 集电区 台面型 肖特基 氧化层 衬底 基区 减小 沉积 兼容 申请 | ||
【主权项】：
1.一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，其特征在于，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，所述N型轻掺杂单晶硅衬底的表面形成有N型重掺杂单晶硅层，所述N型重掺杂单晶硅层的表面形成有金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有P型重掺杂Si
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中证博芯(重庆)半导体有限公司，未经中证博芯(重庆)半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921934633.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
