[实用新型]氧含量监控退火炉有效
申请号: | 201921918147.3 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN211125587U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 陈豪 | 申请(专利权)人: | 无锡鹏丰炉业科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 贾传美 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于退火炉技术领域,尤其为氧含量监控退火炉,包括主炉,主炉的一侧表面上固定连接有电机外壳,电机外壳内部设有电机,电机的驱动轴终端贯穿主炉的外壁固定连接有冷却箱,冷却箱的内部开设有腔体,冷却箱的腔体两端内壁上固定连接有弹簧,弹簧远离冷却箱的一端固定连接有固定夹板,冷却箱远离电机驱动轴的一端外壁上固定连接有转轴,主炉的一侧内壁上固定连接有固定箱。本实用新型通过设置冷却箱,当需要对产品进行冷却的时候,可以通过电机,打开电机,通过电机的作用带动了冷却箱的转动,再通过转扇的转动将水箱的水高速拍打出去,对冷却箱内的产品进行全方位的冷却,从而达到了高效冷却的效果。 | ||
搜索关键词: | 含量 监控 退火炉 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造