[实用新型]基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备有效
申请号: | 201921882237.1 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN212136456U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 方慧风;和巍巍;汪之涵;张振中;孙军 | 申请(专利权)人: | 深圳基本半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/111;H01L31/18;G02B5/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 黄议本 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请实施例公开一种基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备。所述光控晶闸管包括光控端;所述光控端设有第一结构;所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用;所述第一结构为可通过衍射对入射光进行波矢补偿的结构。所述电子设备包括所述光控晶闸管。本申请实施例可有效提高光控晶闸管的输出电流和开启速率,可使用于光控晶闸管的光源不再受紫外波段约束,能有效拓宽光源的可选择性。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 离激元 光控 晶闸管 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的