[实用新型]一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路有效

专利信息
申请号: 201921836645.3 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN210666857U 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 徐卫林;胡斯哲;许新愉;杨文琛;韦家锐;莫新锋;温剑钧 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 实用新型公开一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路,包括4个忆阻器M1、M2、M3和M4,初始化MOS晶体管开关SWINIT,2个接地MOS晶体管开关SWGA和SWGB,权重编程控制MOS晶体管开关SWP,以及信号处理控制MOS晶体管开关SWIN。本实用新型的桥式触突两支路均通过MOS晶体管接地,在权重编程阶段和信号处理阶段两个支路对地电位相等,使得电路更加稳定,消除了工作模式配置电路本身带来的误差。将带有该工作模式配置电路的忆阻器桥式触突应用到神经网络后,两个支路的接地MOS晶体管可以实现共享,在提升神经网络判决精度的同时并不显著增加芯片面积。
搜索关键词: 一种 忆阻器桥式触突 工作 模式 配置 电路
【主权项】:
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