[实用新型]一种复合可控硅电路有效
| 申请号： | 201921669513.6 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN210274017U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 杜照涢 | 申请（专利权）人： | 杜照涢 |
| 主分类号： | H03K17/73 | 分类号： | H03K17/73;H05B47/10 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 席卷 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合可控硅电路，包含一第一可控硅，所述的第一可控硅包含一第一主电极、一第一副电极和一第一门极，所述的第一可控硅的下游设有一第二可控硅，所述的第二可控硅包含一第二主电极和一第二副电极，所述的第二主电极与所述的第一主电极相连接，所述的第二副电极通过一电阻与所述的第一门极相连接。所述的电阻为正温度系数电阻PTC。当选取合适的PTC及第一可控硅T1和第二可控硅T2时，电路可以利用很低的脉冲触发电流去控制大电流的第一可控硅T1的目的，同时也降低了限流电阻PTC1上的发热量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 可控硅 电路 | ||
【主权项】：
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