[实用新型]一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅有效
| 申请号： | 201921418257.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN210092089U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 乔明;齐钊;邓琪 | 申请（专利权）人： | 成都矽能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610093 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和/或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 隔离 维持 电压 可控硅 | ||
【主权项】：
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