[实用新型]一种NMOSFET功率管驱动电路有效
| 申请号： | 201921330227.7 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN210246717U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王冬峰;刘桂芝;赵寿全;夏虎 | 申请（专利权）人： | 无锡麟力科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944;H03K19/20;H03K19/003 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及功率管控制技术领域,公开了一种NMOSFET功率管驱动电路，包括第一与非门、第二与非门、第一或非门、第二或非门、第一反向器、第二反向器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管，第三PMOS管和第三NMOS管的栅极电压为被驱动功率管的栅极输入电压。本实用新型采用分段驱动方式，控制功率管开启和关闭过程中的栅极输入电压变化速度，减缓功率管导通和关闭过程中产生的栅极输入电压的过冲和震荡，减小漏端电流的尖峰，进而减少功率管开关过程对系统其它电路产生的电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmosfet 功率管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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