[实用新型]一种NMOSFET功率管驱动电路有效
| 申请号： | 201921330227.7 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN210246717U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王冬峰;刘桂芝;赵寿全;夏虎 | 申请（专利权）人： | 无锡麟力科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944;H03K19/20;H03K19/003 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nmosfet 功率管 驱动 电路 | ||
1.一种NMOSFET功率管驱动电路，其特征在于：包括第一与非门、第二与非门、第一或非门、第二或非门、第一反向器、第二反向器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管；
所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第五PMOS管的源极均电连接电源；
所述第一PMOS管的漏极分别电连接第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极电连接第二NMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极电连接第三NMOS管的漏极，第四PMOS管的漏极电连接第四NMOS管的漏极，第五PMOS管的漏极电连接第五NMOS管的漏极；
所述第一NMOS管的源极电连接二极管D1的正极，二极管D1的负极电连接接地端子，所述第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极均电连接接地端子；
所述第五PMOS管的漏极电连接第一与非门的一输入端，所述第四PMOS管的漏极电连接第二或非门的一输入端，所述第一与非门与第二或非门另一输入端共同电连接输入控制信号，所述第一与非门的输出端分别电连接第一PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极和第一或非门的一输入端，所述第二或非门的输出端分别电连接第一NMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极和第二与非门的一输入端；
所述第三PMOS管的漏极分别电连接第一或非门另一输入端和第二与非门另一输入端，所述第一或非门的输出端电连接第一反向器的输入端，所述第一反向器的输出端电连接第二PMOS管的栅极，所述第二与非门的输出端电连接第二反向器的输入端，所述第二反向器的输出端电连接第二NMOS管的栅极。
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