[实用新型]一种大功率倒装LED芯片有效
申请号: | 201921320401.X | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN210379104U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 陆绍坚;何英乔 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种大功率倒装LED芯片,包括衬底、外延层、Ag反射层、绝缘层、Al层、第一电极和第二电极,所述绝缘层和Al层形成ODR结构。本实用新型利用Al层来填补Ag反射层不能反射区域,增加芯片整体的反射效率,提高芯片的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 大功率 倒装 led 芯片 | ||
【主权项】:
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