[实用新型]一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备有效
申请号: | 201921011323.5 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN210897319U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请(专利权)人: | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/04 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 许益民 |
地址: | 215121 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备,其包括碱液粗抛池,设于碱液粗抛池后的水洗装置,设于清洗水槽后的臭氧水清洗池以及设于臭氧水清洗池后的制绒设备;所述的臭氧清洗池与臭氧发生器相通。本实用新型的硅片表面臭氧处理设备,通过在粗抛池后与臭氧水清洗池之间增加水洗装置,将硅片表面去除残留碱液之后再进入臭氧水清洗工序,可有效防止由于碱液带入导致的臭氧水中臭氧浓度急剧降低的问题,从而可以确保臭氧水浓度稳定,确保臭氧水清洗工序的效果,利于后续的硅片制绒。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 硅片 表面 臭氧 处理 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的