[实用新型]一种变频电源晶体管驱动保护电路

摘要

本实用新型公开了一种变频电源晶体管驱动保护电路，涉及变频器技术领域，所述驱动保护电路包含驱动电路，所述驱动电路包含信号隔离电路、退饱和检测电路和输出驱动电路；所述信号隔离电路包含光耦BD，所述光耦BD的阴极连接至第一信号输入端，所述光耦BD的阳极通过电阻R1连接至第二信号输入端，所述光耦BD的发射极连接至晶体管GTR的发射极，所述光耦BD的集电极通过电阻R2与电阻R10的串联连接至VCC。本实用新型的变频电源晶体管驱动保护电路，能够可靠驱动晶体管，采用光耦的方案起到了隔离和抗干扰的技术效果。

主权项

1.一种变频电源晶体管驱动保护电路，其特征在于，所述驱动保护电路包含驱动电路，所述驱动电路包含信号隔离电路、退饱和检测电路和输出驱动电路；/n所述信号隔离电路包含光耦BD，所述光耦BD的阴极连接至第一信号输入端，所述光耦BD的阳极通过电阻R1连接至第二信号输入端，所述光耦BD的发射极连接至晶体管GTR的发射极，所述光耦BD的集电极通过电阻R2与电阻R10的串联连接至VCC；/n所述退饱和检测电路包含电压比较器A1，三极管VT1，三极管VT2，所述光耦BD的集电极还连接至二极管VD1的正极，所述二极管VD1的负极连接至电压比较器A1的反向输入端，所述电压比较器A1的同相输入端通过电阻R5连接至所述光耦BD的发射极，所述电压比较器A1的同相输入端还通过电阻R3和电阻R10的串联连接至VCC；/n所述电压比较器A1的输出端连接至三极管VT1的基极，三极管VT1的发射极连接至光耦BD的发射极，所述三极管VT1的集电极通过电容C1连接至光耦BD的集电极，所述三极管VT1的集电极还连接至二极管VD3的负极，所述二极管VD3的正极通过电阻R8与电阻R10的串联连接至VCC，所述三极管VT1的基极通过电阻R7与电阻R10的串联连接至VCC；/n所述二极管VD3的正极还连接至二极管VD5的正极，所述二极管VD5的负极连接至三极管VT2的基极，所述三极管VT2的发射极通过电阻R9与电阻R10的串联连接至VCC，所述三极管VT2的集电极连接至光耦BD的发射极，所述三极管VT2的基极还连接至二极管VD6的正极，二极管VD6的负极连接至二极管VD5的正极；/n所述输出驱动电路包含三极管VT3，三极管VT4，所述三极管VT3的基极连接至三极管VT2的发射极，所述三极管VT3的发射极连接至三极管VT4的基极，所述三极管VT3的集电极连接至三极管VT4的集电极，所述三极管VT4的发射极连接至电容C2和电阻R12的一端，所述三极管VT3的集电极通过电阻R11连接至VCC；/n电容C2的另一端与电阻R12的另一端连接后连接至二极管VD8和二极管VD9的正极，所述二极管VD9的负极连接至晶体管GTR的基极，所述二极管VD8的负极连接至晶体管GTR的集电极。/n