[实用新型]一种p型晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型提供了一种p型晶体硅太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型的p型晶体硅太阳能电池，减少了光学损失，且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大，成本低。