[实用新型]一种p型晶体硅太阳能电池

说明书

本实用新型提供了一种p型晶体硅太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型的p型晶体硅太阳能电池，减少了光学损失，且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大，成本低。

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种p型晶体硅太阳能电池。

背景技术

异质结太阳能电池具有生产工艺温度低、光电转换效率高等优势，因此应用前景广泛。

目前，异质结太阳能电池中，异质结的设置，通常会减少进入硅基底的有效入射光，造成较大的光学损失，因此需要配合透明导电膜、低温导电银浆等以维持较高的光电转换效率。

由于透明导电膜、低温导电银浆等成本较高，导致异质结太阳能电池成本居高不下。

实用新型内容

本实用新型提供一种p型晶体硅太阳能电池，旨在解决异质结太阳能电池成本高的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池，包括： p型晶体硅基底；

局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；

正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；

正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域 p++型掺杂区接触；

钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；

n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；

背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；

以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n 型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。

可选的，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。

可选的，所述p型晶体硅太阳能电池，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域。

可选的，所述钝化隧穿层厚度为0.5～3nm。

可选的，所述p型晶体硅基底的厚度为50～300μm。

可选的，所述n型掺杂硅膜层的厚度为10nm～500nm。

可选的，所述正面减反射层的厚度为40～100nm。

可选的，所述背面钝化层的厚度为40～200nm。

可选的，所述正面金属电极包括：Al电极、Al/Ag电极、Ni/Cu电极、 Co/Cu电极、Ni/Cu/Sn电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。

可选的，所述背面金属电极，包括Ag电极、Ni/Ag电极、Ni/Cu电极、 Co/Ag电极、Co/Cu电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Sn电极、 Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。