[实用新型]一种磁瓦外观缺陷检测结构有效
申请号: | 201920846277.4 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN210198992U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 汤培欢 | 申请(专利权)人: | 深圳至汉装备科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/88 |
代理公司: | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人: | 赵红霞 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种磁瓦外观缺陷检测结构,包括用于拍摄磁瓦图像的相机,在所述相机与待检测的磁瓦之间布置有同轴的直射灯和漫射灯,所述直射灯包括由垂直于所述相机的光轴方向入射的平行光源,以及将平行光源发出的光反射为与所述相机的光轴平行且重合的反射镜;所述漫射灯包括上下两端分别开口的弧形罩,安装在所述弧形罩底部且向所述弧形罩内壁方向照射的环形光源。本实用新型通过本方案设置的光照方式,能够使当前摆放的磁瓦四周及上表面完全无光照死角,且可避免直射光源与环形光源之间的相互影响,使整个磁瓦表面的光强一致,能够更突出磁瓦表面的缺陷位置,加快和提高后续图像缺陷分析速度和精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 外观 缺陷 检测 结构 | ||
【主权项】:
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